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1701465017 对于多导联脑电记录时电极的位置,有国际标准可循,目前最通行的标准是10~20系统(10~20 system)。该标准取鼻根(nasion,即鼻梁上端的最凹处)到枕骨隆突(inion,即枕部的骨骼隆起)沿头皮表面测量的距离为前后距离的100%,左右耳前点(preauricular point,即耳廓前面的最凹点)沿头皮表面测量的距离为左右距离的100%。在此基础上,电极相距20%的距离放置,且最边上的电极距测量边缘10%的距离,10~20系统由此得名。10~20系统定义了19个头表电极,在使用更多导联的脑电记录系统中,可以使用该系统的扩展版本10~10系统或10~5系统。
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1701465019 在视觉刺激条件下,通常会产生颞枕区分布的P1(潜伏期100ms左右的正波)、后部N1(潜伏期150ms左右的负波)成分,额中央区分布的前部N1成分(潜伏期130ms左右的负波),以及在顶区最大的P3成分(潜伏期300ms以上的正波)等视诱发成分(如右图)。大脑后部的P1、N1成分产生于外纹状皮层(extrastriate cortex),反映了视觉信息通道中早期的感官阶段处理过程。在P1之前,有时还可以观察到C1成分(潜伏期80ms左右的正波或负波)。C1成分产生于纹状皮层(striate cortex),分布于顶枕区中央。由于视觉通道的视野对侧投射关系,并且纹状皮层折叠于矩状裂(calcarine fissure)中,上视野刺激产生负电位的C1成分,下视野刺激产生正电位的C1成分(图9-1)。
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1701465024 图9-1
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1701465026 【实验用品】
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1701465028 脑电记录与分析系统,电极帽及电极,刺激呈现系统;毛巾,热水,电吹风机;70%酒精,医用棉球,导电糊,注射器,平头针头,一次性针头。
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1701465030 实验材料:使用刺激生成软件在实验前制作实验刺激图形序列。屏幕中央始终有一个十字形注视点(视角约0.4°×0.4°),在屏幕的4个位置上随机快速呈现黑白对比度的圆形棋盘格刺激,这四个位置分别在注视点的左上、右上、左下和右下,距注视点4°视角,并处一个正方形的4个顶点上。棋盘格直径为2°视角,呈现时间100ms,刺激间隔时间在800~1200ms间随机变化。刺激程序在呈现刺激的同时向脑电记录系统发送触发信号。
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1701465032 【实验内容】
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1701465034 (1)戴电极帽。让被试洗头,吹干头发,并用棉球蘸酒精清洁眼眶以下及乳突等需要粘贴电极处的皮肤。随后将电极帽戴在被试头上,电极帽要佩戴端正,并使最中央的Cz电极左右位于头的正中,前后位于鼻根和枕骨隆突连线的中点。用注射器及平头针头在电极和头皮间灌入导电糊,并将记录眼电的电极及乳突处的参考电极贴好。然后接入脑电记录系统(以两侧乳突电极为参考电极,前额接地),使用一次性针头轻拨头皮表面,以将阻抗调低到系统容许的范围以内。
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1701465036 (2)被试就位。被试坐在隔音、控光的房间中,视线正对屏幕中央并保持眼睛到屏幕的距离为90cm。告知被试实验内容,叮嘱被试实验中始终看着注视点并尽量少眨眼。
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1701465038 (3)数据记录。屏幕上快速闪现刺激图形,同时向脑电记录系统发送触发信号,以标记出刺激出现的精确时刻。实验进行的同时,记录脑电数据(采样率250Hz,0.1~70Hz滤波)。此时被试应注视屏幕中央,视线不要移动,并尽量少眨眼。刺激图形在每个位置上各记录大约200次刺激的数据。记录中每隔1min时间让被试休息片刻。
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1701465040 (4)收尾工作。实验完毕后,让被试将头发及粘贴过电极的部位洗净。
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1701465042 【结果处理】
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1701465044 (1)数据截取与剔除。使用脑电分析软件,对记录的原始数据进行分段截取(数据分段前可用数字滤波方法去除50Hz的交流电噪声),截取范围为刺激出现前200ms至刺激出现后600ms。取出的数据段(epoch)使用刺激前的部分进行基线校正(baseline correction),随后将活动强度超过±50μV的数据段剔除(artifact rejection)。
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1701465046 (2)叠加平均。使用未被剔除的数据段,以刺激触发点为对准点进行叠加平均(averaging),即多次刺激引起脑电活动的算数平均。叠加产生两条事件相关电位波形,分别对应上视野刺激和下视野刺激。
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1701465048 (3)波形观察。主要观察颞枕区电极处的P1和后部N1视诱发成分,及额中央区的前部N1成分。在可能的情况下,观察枕区中央的C1成分,注意观察上下视野刺激引起C1成分的方向翻转现象。
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1701465050 (4)测量分析。测量P1、后部N1及前部N1三个成分的峰振幅及峰潜伏期。如果信噪比较低不易进行峰测量,则可以在峰值附近选择一个区间进行平均振幅测量。如果有多个被试的数据,可以计算多个被试的平均波形并计算各成分峰振幅、峰潜伏期、平均振幅的平均值及离散程度。
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1701465052 【说明及建议】
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1701465054 (1)电极阻抗通常应在5kΩ以下,使用高阻放大器的脑电记录系统通常要求较低,几十千欧姆即可。注意脑电记录系统使用手册的规定。
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1701465056 (2)建议在使用共模抑制比(common-mode rejection ratio,CMRR)低于100dB的脑电记录系统时,数据记录在屏蔽室中进行。
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1701465058 (3)注意卫生,一次性针头杜绝重复使用,其他与被试有接触的用具如电极帽、毛巾等应在实验后洗净消毒。
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1701465060 (何逊、韩世辉)
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