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Cutting：切割工艺。为提高生产效率，制作平板显示屏的前工序通常采用大基板进行。例如制作阵列和彩膜基板时，一张基板上排布了多个显示屏的阵列或彩膜同步进行加工。在成盒工序，大基板上各个屏的液晶盒也是同步形成的。切割工艺即将这些前工艺大基板上同步形成的液晶盒进行分割，以便实施后面的需要分别进行加工过程，如测试分类等。切割后分离的屏的加工工艺统称为后工序。
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CVD（Chemical Vapor Deposition）：化学气相沉积，即利用气相化学反应在基板表面的生成物淀积形成薄膜的技术。其中PECVD（plasma Enhanced CVD，等离子增强型CVD）由于反应温度低、产率高，所以被平板显示行业广泛地采用，在阵列工序中形成半导体和绝缘体薄膜。
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DLP（Digital Light Procession）：数字光处理（显示器件），德克萨斯仪器公司（TI）开发的由微电子-机械反光阵列构成的微显示器件。DLP目前主要应用于投影显示器。
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DRAM（Dynamic Random Access Memory）：动态随机存取存储器。
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DVD（Digital Video Disk）：数字化视频光碟。
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EL Display（Electroluminescent Display）：电致发光显示，指电场激发而非热激发使材料发光的显示方式。电致发光的定义很宽泛，在大容量信息显示应用方面主要指以两侧电极激发无机或有机薄膜材料发光构成像素的显示器。代表性显示器有高电场驱动激发电子轰击荧光粉薄膜发光的无机电致发光显示器，以及有机电致发光显示器（OEL Display，或OLED）。
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FAE（Field Application Engineer）：现场技术支持工程师。
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FED（Field Emission Display）：场发射显示器。场致发射显示器是由电场直接激发阴极发射电子，阳极电场加速电子轰击荧光粉发光的显示器。场致发射阴极通常采用微加工工艺形成，易于微型化并形成阵列，因此可以实现平板结构的显示器。场致发射显示器具有与CRT相似的高画面品质，并且轻薄、节能。法国PixTech公司1994年前后即推出相关产品，并计划在IT应用领域推广。但由于技术复杂，成本高，在TFT-LCD技术迅速成长和普及的背景下，场致发射显示器未能得到广泛的应用。
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FFS（Fringe Field Switching）：边缘场转换技术。它是韩国现代电子基于对IPS（见IPS词条）技术进行重大改进而开发的宽视角液晶显示专利技术。与IPS结构中正、副极性相间平行排列的指状电极结构形成面内平行电场控制液晶透光状态转换不同，FFS技术采用了一个整体透明平面电极，其上是绝缘层和另一极性的平行指状电极。在指状电极边缘外侧和平面电极之间，形成控制液晶透光状态转换的面内平行电场。FFS技术在保持IPS技术优点的同时，因指状电极减少，液晶层的透光率和相关特性得以提高。由于良好的视角特性和节能特性，高端手机用TFT-LCD多数采用FFS技术或衍生技术。
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FHD（Full High definition）：全高清显示。见HD词条。
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Flexible Display：柔性显示，即可以弯曲或折叠的显示屏。
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Full-In-Cell Touch：全嵌入式触摸
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Fusion glass：熔融玻璃，用于制造玻璃基板。
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Gate：门极，也称栅极。是半导体场效应器件（如MOS器件或薄膜晶体管TFT）三个电极中的控制极。通过栅极上施加电压的变化，可控制器件另外两个电极间的导通状态或导通电流的大小。
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HD（High Definition）：高清晰度（电视显示制式）。基础分辨率为1280（1280×720），也称标准高清。按高清电视制式，显示画面的宽高比为16∶9。随着技术的演进，高清显示后来又出现如下规格的产品：
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FHD（Full High Definition）：全高清显示，分辨率为1920（1920×1080）。
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QHD（Quad High Definition）：四倍高清显示，分辨率为2560（2560×1440），即像素数是HD的4倍。
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UHD（Ultra High Definition）：特高清显示，分辨率为3840（3840×2160）。俗称4K屏，由于显示制式技术上是2进制方式，因此所谓4K只是近似值。
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QUHD（Quad Ultra High Definition）：四倍超高清显示，分辨率为7680（7680×4320）。俗称8K超高清或8K屏。
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10K显示屏也是类似的俗称。由京东方全球首发的82英寸10K液晶显示屏为非制式屏，分辨率为10240（10240×4320），宽高比21∶9。
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