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PVX层（passivation）：钝化层。电子器件、集成电路或平板显示器阵列基板上，为实现电气绝缘或与周边环境隔离，以确保器件和电路的工作稳定，采用特性相对稳定的绝缘材料制作的薄膜。在平板显示技术中，通常采用PECVD淀积的氮化硅、氧化硅或涂敷的有机材料制作钝化层。
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Q
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QHD（Quad High Definition）：四倍高清显示。见HD词条。
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QUHD（Quad Ultra High Definition）：四倍超高清显示。见HD词条。
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qVGA（quarter Video Graphics Array）：四分之一视频图形阵列。见VGA词条。
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S
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SED（Surface-conduction Electron-emitter Display）：表面传导电子发射显示器。它是场致发射显示器（FED）技术的一种。相比采用微加工工艺制作核心阴极结构的主流FED技术，SED技术理论上更适合制作大面积显示器。2002年前后是由佳能公司推出原型样品，并宣布计划与东芝成立合资公司进行商业化生产的计划。但由于技术本身存在的问题和其他方面的原因，该技术未能实现量产。
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SKD（Semi-Knocked Down）半散装件。
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Sputter：溅射机。它是利用等离子将靶材物质溅镀到玻璃基板表面成膜的设备，在平板显示产业中常用于在玻璃基板上形成金属薄膜或金属氧化物（ITO、IGZO等）薄膜。磁控溅射有利于提高等离子体密度，从而提高溅射效率。
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STN-LCD（Super Twisted Nematic Liquid Crystal Display）：超扭曲向列型液晶显示器。超扭曲向列的显示类型是指液晶分子约180°—270°扭曲取向的液晶显示模式。参见TN-LCD词条。
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T
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TFT-LCD（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display）：薄膜晶体管液晶显示器，它是使用薄膜晶体管（TFT）驱动液晶以实现显示的技术。
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TN-LCD（Twisted Nematic Liquid Crystal Display）：扭曲向列型液晶显示器。20世纪70年代初，TN模式液晶显示器即在瑞士和美国获得专利，并推出显示产品。1973年日本夏普公司将其应用于电子计算器，开启了液晶在显示行业大量应用的时代。常见的计算器、电子表等字符显示器以及电脑监视器采用的TFT-LCD等均采用TN模式液晶显示器。TN模式液晶显示器中，棒状液晶分子平行于基板排列，上、下基板间液晶分子的指向逐步转向，扭曲了90度。上下基板电极施加电场时，液晶分子不同程度地从平行于基板转换到与基板成一定角度，从而控制透光状态的变化。TN液晶显示虽然因工艺成熟得到大量应用，但由于视角特性差，在电视、高端笔记本和手机应用中，逐步被IPS或MVA模式类的液晶显示技术替代。
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Touch：触控。
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TPC（Tablet Personal Computer）：平板电脑，即形状呈平板状的便携式电脑，典型产品是苹果公司的iPad。
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TTL电路（Transistor-Transistor Logic）：晶体管-晶体管逻辑电平。T-con输入端信号传输方式，为高电平的数据传输方式，以并行方式直接传输RGB数据。
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TV（Television）：电视。
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U
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UHD（Ultra High Definition）：特高清显示。见HD词条。
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V
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VA（Vertical Alignment）：垂直取向模式，见MVA词条。
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VGA（video Graphics Array）：视频图形阵列，是IBM于1987年提出的电脑显示标准。VGA分辨率为640×480，作为显示标准早已无法满足技术发展的需要，因此以此为基础出现了许多衍生规格产品，并应用于不同的领域：
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qVGA（quarter VGA），四分之一视频图形阵列，即像素数是VGA的四分之一，分辨率240×320。
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HVGA（Half VGA），半视频图形阵列，即像素数是VGA的一半，分辨率480×320。
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XGA（Extended Graphics Array），扩展图形阵列，分辨率1024×768。
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