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复合半导体方向，先后承担国家杰出青年科学基金、国家自然科学基金重大／重点／重大国际合作等国家和省部级项目20多项，主要研究高性能复合光电材料的分子设计和材料设计、合成与制备、结构与性能，利用纳米化、有序化以及外场调控等手段实现其微结构的调控与组装，研究复合体系中的不同组成、表面和界面态的电子结构及其载流子输运特性，揭示其功能互补、协同增强的物理机制，并探索在光电池、光电探测、生物传感器等领域上的应用。在高性能有机电荷传输材料、有机／无机复合纳米材料的制备技术等方面取得重大进展，在本领域国内外著名学术刊物发表SCI收录论文100多篇，获国家授权发明专利7项，获国家教委科技进步三等奖1项。
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复合光功能方向、纳米功能材料方向，在近年来的研究中，获得浙江省科学技术一等奖3项，省部科技二等奖4项。
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首创硅烷法研制硅单晶
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浙江大学材料物理与化学学科原属半导体材料学科。再往前追溯，源自半导体材料与器件专业。1957年，“发展半导体事业”被列入新中国第一个十二年科学发展规划，全国不少高校开始创办半导体材料方面的专业。浙江大学是我国最早开办工科半导体材料与器件专业的五所学校之一。阙端麟作为骨干教师，参与了浙江大学半导体材料与器件专业的创办，也是该专业的学术带头人。
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阙端麟是厦门大学电机系的毕业生。留校任教两年后的1953年，他被调到浙江大学工作。次年，他开始研究半导体温差电材料。首次跨入半导体材料这一新兴学科，阙端麟便小有收获，试制成功我国第一台温差发动机。与此同时，国际上正热中于探索重要的半导体材料——锗和硅。经过深思熟虑后，他转而选择认为有前途的硅材料作为研究方向。1959年，他开始研究提纯硅烷及制备高纯硅技术。
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“制取高纯硅在国际国内有多种方法，其中，硅烷法对实验设施的要求最低。但由于硅烷容易发生爆炸，这种方法很少有人去研究和试验。”阙端麟回忆说：“但当时我们国家、学校都很困难，财力、物力和知识基础都很缺乏。以当时浙江大学的条件，我认为用硅烷法制取最有可能成功。虽然危险，我也不顾了。年轻么，怕什么！”
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首先要解决实验设备。阙端麟根据实验室的现有条件设计了一套化学反应系统，用有限的经费购置了少量的烧杯，其他的仪器就靠自己动手制作了。“我在本科的时候学得比较广，动手能力也不错，在做研究的时候就派用场了。像过滤器这些零件，都是我自己吹制的。”阙端麟说，其实实验中最大的问题是防止爆炸伤人。“我们想了一个办法，自己动手编制了一个铁丝网，把实验设备‘保护’起来。”
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1964年，经过五年的反复试验、研究，阙端麟终于在实验室取得高纯硅单晶。这是我国在硅烷法制取高纯硅上的一个突破！
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随后到来的“文革”，并没有阻止阙端麟研究的脚步，倒是一些不愿参加派系斗争的教师被实验的成功所吸引，学校因此把这些教师组织起来，组成了扩大的研究组，对硅烷制备、硅烷中微量杂质及杂质吸附、吸收技术等整套的工艺进行研究。在扩大研究组的共同努力下，1970年，具有浙江大学特色的高纯硅烷及多晶硅生产的成套工艺技术研究成功。
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“全分子筛吸附法提纯硅烷”是采用氯化铵与硅化镁在液氨中生成硅烷并与分子筛吸附相结合的提纯硅工艺流程，是一种工艺简单、流程短、投资省、易于保证高纯度的技术。这项成果于1980年获国家发明三等奖。由于高纯硅烷在电子工业上的用途不断发展，成为重要高纯电子特种气体，至今国内仍在采用该法生产高纯硅烷气体。
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1964年，浙江大学首创硅烷法研制硅单晶（图为阙端麟正在进行科学研究）
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从1980开始的“六五”阶段是我国真正的“硅起步”阶段。这一阶段，国家科委组织了“大规模集成电路用硅材料的攻关”，提出了“全部国产化”的要求，启动了“一条龙攻关计划”：组织相关单位，携手合作进行硅材料的国产化研究。阙端麟带领课题组积极参与到“六五”及“七五”国家重点科技攻关中。期间，他领导了探测器级特高阻硅单晶的研究，成功地研制出p型电阻率高达100kΩ·cm的硅单晶。他还采用新的方法，发展了单色红外光电导衰减技术和理论，先后研制成功GGS—1、GGS—2型硅单晶寿命仪。仪器的技术指标大大超过当时同类进口仪器的水平，使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化，并广泛在国内推广使用。成果于1988年获国家发明三等奖。
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不断研究的成功，使实验室在特高阻探测器级硅单晶和高纯技术方面形成特色。1985年，国家计委批准在浙江大学建设高纯硅国家重点实验室，1987年建成并对外开放。实验室具备了较好的从事半导体材料教学、研究的条件，已成为培养高质量人才、出高水平成果的基地。
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创建与学科发展同步的生产基地
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“科学研究一定要与生产相结合。我们学科的发展就得益于产学研的紧密结合。”阙端麟介绍说，他和课题组的多项成果一经鉴定就直接转入生产，为学科和实验室的建设提供资金支持。
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1970年，阙端麟和课题组成员李立本把实验研究取得的“全分子筛吸附法提纯硅烷”技术成果投入应用，并把实验室制取的高纯硅立即投放市场，赚取了第一桶金。在此基础上，他们在没有学校资本投入的情况下，靠自力更生，创办了浙江大学半导体厂。
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40余年来，李立本一直致力于硅单晶的研究与产业化。他回忆说：“当时国内的需求量还不大，我们也只是小规模生产，但是效益很好。”
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与此同时，阙端麟和李立本在硅晶体生长技术方面的研究取得了实质性的进展。
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当时，国际上先进的拉晶都用纯氩做保护气，在国内拥有液态氩的地方很少，液氩成为一种稀缺资源。同时，很少有人注意到用氮作为保护气的可能。阙端麟经过仔细思考，认为在减压条件下可以用氮气成功地拉制单晶。
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“长期以来，人们总认为氮与硅在高温下会发生化学反应，从而阻碍硅单晶的生长。”阙端麟说，“但是我们没有受这些思想的束缚，也不是空想，我们立即把自己的想法通过实验来验证。我和老李到实验室试验，一次成功，我们在氮保护气氛下生长出了优质的硅单晶。”
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“减压充氮直拉硅单晶技术”是一项中国人自主发展的新技术，不仅使我国在制备低碳含量硅单晶技术领域达到了国际先进水平，还开辟了关于直拉硅单晶中杂质和缺陷的基础研究的广阔领域，丰富了直拉硅单晶缺陷工程的科学内容。这一技术被《科技日报》评选为我国1987年10项重大科技成果之一，1989年获国家发明奖二等奖。
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从1988年开始，李立本担任浙江大学半导体厂厂长。他立即把这项技术引入企业，生产硅单晶。“采用这项技术，比用传统技术保护气体，降低了将近一半的成本，而且制造的硅片机械性能好，用这种硅片制作的半导体器件的破碎率也降低一成以上。”李立本介绍说，产品相继进入美国、日本和德国市场。
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1995年，浙江大学半导体厂被国务院发展研究中心评为“中华之最——直拉硅单晶产量全国第一”。
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1999年5月，李立本作为发起人之一，创立了浙江浙江大学海纳科技股份有限公司，并出任公司总经理。浙大海纳是当时浙江省仅有的一家高校上市公司。此后不久，阙端麟和李立本抓住半导体产业向中国转移的有利时机，组织半导体学科相关的技术和管理人员，创立了宁波立立电子股份有限公司，从事特种重掺杂硅单晶、6-8英寸硅外延片生产。李立本先后出任公司总经理、董事长，带领公司稳步发展。他介绍说，公司与浙江大学半导体材料研究所、硅材料国家重点实验室开展合作，包括阙端麟院士、他本人和杨德仁教授等都是公司研发中心成员。