1703994292
光变：一个企业及其工业史 三、英文技术名词解释
1703994293
1703994294
A
1703994295
1703994296
ADS：ADSDS的简称。
1703994297
1703994298
ADSDS（Advanced Super Dimension Switch）：先进超维转换技术。它是京东方科技集团通过对现代电子的FFS（见FFS词条）技术的改进，于2010年前后开发出来的宽视角液晶显示技术。FFS技术结构中的指状电极节距因特性改善的要求逐步减小，电极边缘电场强度和方向分布也更加杂乱。京东方的ADS技术通过工艺和设计升级，在指状电极节距减小的同时，仍形成良好的边缘电场分布，高效控制液晶透光状态转换，提升了显示品质及相关特性。
1703994299
1703994300
AM-OLED（Active Matrix Organic Light Emitting Display）：有源矩阵有机电致发光显示器，即由有源器件（如薄膜晶体管等）像素电路阵列驱动对应有机电致发光器件发光的显示器。相对于无源（如逐行扫描脉冲驱动）方式驱动的有机电致发光显示器（PM-OLED），AM-OLED不仅适合于大容量图像显示，而且画面品质高、寿命长。
1703994301
1703994302
Array：阵列。通常指有源驱动平板显示器中的一片玻璃基板（阵列基板），其上制作有与显示器像素对应排布的有源驱动器件（如薄膜晶体管等）电路阵列及周边附属电路。它也指制作这一基板的工艺过程，即阵列工序。阵列工序与在硅晶圆上制造半导体集成电路的工序相似，通过反复实施成膜、光刻及蚀刻工艺，在玻璃基板上制造出半导体电路。阵列工序通常被称为液晶面板制造的第一道工序。
1703994303
1703994304
a-Si（Amorphous Silicon）：非晶硅，由硅及少量其他原子无序堆叠形成的半导体材料。非晶硅材料的电学特性通常比多晶硅和单晶硅差，但由于成膜温度低、相关工艺成熟、成本低，在平板显示行业得到了广泛应用。主要用于在玻璃基板上形成薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）电路阵列，驱动对应像素工作。
1703994305
1703994306
B
1703994307
1703994308
BOM（Bill of Materials）：（产品）物料清单。也借指物料清单中所规定材料形成的产品材料成本。
1703994309
1703994310
C
1703994311
1703994312
CCFL（Cold Cathode Fluorescent Lamp）：冷阴极灯。主要应用于液晶显示模组中的背光源。随着LED技术进步，逐步被LED所取代。
1703994313
1703994314
Cell：液晶盒。指由两片包含电极的平行玻璃基板和填充其中的液晶薄层构成的盒状结构。液晶盒基板上的电极形成电场，可以控制棒状液晶分子的方向，从而控制液晶薄层的透光状态，形成显示图像。Cell也指形成这一结构的工艺过程，即成盒工序。其中，通过液晶滴注（ODF）工艺在其中一张基板的显示对应区域内滴注液晶，另一片基板显示区域周边凃布封框胶。将两片基板对准贴合，则两片平行基板、基板显示区域内夹持的液晶薄层和周边封框胶就形成液晶盒。成盒工序通常被称为液晶面板制造的第三道工序。
1703994315
1703994316
CF（Color Filter）：彩膜，也称彩色滤光片。通常指平板显示器中与阵列基板相对应的另一片玻璃基板（彩膜基板）。彩膜基板上通常包含三基色（红、绿、蓝，R、G、B）薄膜单元阵列，与阵列基板的像素驱动电路阵列对应。在彩色图像信号的驱动下，一组R、G、B对应区域液晶层不同透光比例构成一定色彩和亮度的像素。彩膜也指形成彩膜的工艺过程。彩膜工序通过不同颜色感光胶的涂布和显影，把各像素区域的R、G、B薄膜阵列制作在一块玻璃基板上，准备与阵列基板贴合。彩膜工序通常被称为液晶面板制造的第二道工序。
1703994317
1703994318
CKD（Completely Knocked Down）：全散装件。
1703994319
1703994320
C-MOS集成电路（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor IC）：互补金属氧化物半导体器件构成，或采用相应的工艺制作的集成电路。
1703994321
1703994322
CPU（Central Processing Unit）：微处理器。一般由算数逻辑单元、累加器和通用寄存器组、程序计数器（也叫指令指示器）、时序和控制逻辑部件、数据与地址锁存器/缓冲器、内部总线组成。
1703994323
1703994324
CRT（Cathode Ray Tube）：阴极射线管，即通常所说的显像管。它是最传统的电子图像显示技术。显像管由锥形玻璃真空管内锥尾的电子枪发射电子束轰击锥底涂布有荧光粉的屏幕实现显示。电子枪内由灯丝加热激发阴极电子，通过电场控制、汇聚并加速电子，在偏转电磁场控制下形成扫描电子束。显像管曾经“统治”电子图像显示数十年，但其体积庞大、重量重，在进入21世纪后被平板显示器所替代。
1703994325
1703994326
Cutting：切割工艺。为提高生产效率，制作平板显示屏的前工序通常采用大基板进行。例如制作阵列和彩膜基板时，一张基板上排布了多个显示屏的阵列或彩膜同步进行加工。在成盒工序，大基板上各个屏的液晶盒也是同步形成的。切割工艺即将这些前工艺大基板上同步形成的液晶盒进行分割，以便实施后面的需要分别进行加工过程，如测试分类等。切割后分离的屏的加工工艺统称为后工序。
1703994327
1703994328
CVD（Chemical Vapor Deposition）：化学气相沉积，即利用气相化学反应在基板表面的生成物淀积形成薄膜的技术。其中PECVD（plasma Enhanced CVD，等离子增强型CVD）由于反应温度低、产率高，所以被平板显示行业广泛地采用，在阵列工序中形成半导体和绝缘体薄膜。
1703994329
1703994330
D
1703994331
1703994332
DLP（Digital Light Procession）：数字光处理（显示器件），德克萨斯仪器公司（TI）开发的由微电子-机械反光阵列构成的微显示器件。DLP目前主要应用于投影显示器。
1703994333
1703994334
DRAM（Dynamic Random Access Memory）：动态随机存取存储器。
1703994335
1703994336
DVD（Digital Video Disk）：数字化视频光碟。
1703994337
1703994338
E
1703994339
1703994340
EL Display（Electroluminescent Display）：电致发光显示，指电场激发而非热激发使材料发光的显示方式。电致发光的定义很宽泛，在大容量信息显示应用方面主要指以两侧电极激发无机或有机薄膜材料发光构成像素的显示器。代表性显示器有高电场驱动激发电子轰击荧光粉薄膜发光的无机电致发光显示器，以及有机电致发光显示器（OEL Display，或OLED）。
[
上一页 ]
[ :1.703994291e+09 ]
[
下一页 ]